ATD - 半导体激光直写光刻设备

芯硕ATD系列无掩膜直写光刻设备基于先进的第二代光刻直写技术,通过空间光调制器扫描技术实现直写光刻。

该系列产品在应用中省去了繁琐的掩膜加工步骤,相比单束直写具有效率高、技术先进、应用灵活等特点。该系列产品采用芯硕专利技术的大功率LED/LD(波长405nm)或准分子激光(波长248nm)光源,可达0.20um解析度和40nm的套刻精度。可应用于大规模集成电路90nm工艺节点用掩膜版制作、微纳加工、MEMS、LED、生物芯片等。

ATD1000

ATD1000

ATD2000P

ATD2000P

ATD3000M

ATD3000M

 ATD 规格

#Item           UnitAth1000Ath2000PAth4000Ath3000M
1 光源 [N/A] LED LED/LD LED/LD KrF Laser
2 工作波长 [nm] 405±10 405±10 405±10 248
3 可支持基底 [Inch] 2"、4"、6" 或规则形状的基底,包括 Si、SiN、GaAs、InP、LiNbO3、SiC 等透明、半透明、不透明基底 2"、4"、6"、8"或规则形状的基底; 包括 Si、SiN、GaAs、InP、LiNbO3、SiC 等透明、半透明、不透明基底 2"、4"、6"、8"、9"或规则形状的基底; 包括 Si、SiN、GaAs、InP、LiNbO3、SiC 等透明、半透明、不透明基底 6"掩膜版
4 能量控制精度 [N/A] ±1% ±1% ±1% ±1%
5 最小线宽 [um] 0.65 0.65 0.6 0.2
6 线宽均匀性 [3σ,um] 0.1 0.06 0.05 0.01
7 套刻精度 [mean+3σ,um] 0.6 0.25 0.2 0.04
9 拼接误差 [3σ,um] 0.2 0.1 0.05 0.01
10 产能  [mm2/min] 32.7 350 400 40